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龙图腾网恭喜中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114415086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210012289.3，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法是由陈嘉民;焦奇峰设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种两级放大的低频磁阻传感器，包括基底、磁电阻传感元件、MEMS谐振器、两级放大调制结构，所述磁电阻传感元件设于所述基底的上端面，所述MEMS谐振器安装于所述基底上，所述两级放大调制结构包括两个第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器，所述两个第一磁力线聚集器对称设于所述磁电阻传感元件的两侧，所述第二磁力线聚集器设于所述MEMS谐振器表面，并在所述MEMS谐振器的带动下沿上下向振动。通过增添了一对磁力线聚集器，使得传感器感受的直流或低频磁场在被调制到高频场的同时，传感器的灵敏度也得到了很大的提升，从而更有效地抑制了1f噪声，进一步提高了传感器的分辨率。

本发明授权一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种两级放大的低频磁阻传感器，其特征在于，包括基底、磁电阻传感元件、MEMS谐振器、两级放大调制结构，所述磁电阻传感元件设于所述基底的上端面，所述MEMS谐振器安装于所述基底上，所述两级放大调制结构包括两个第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器，所述两个第一磁力线聚集器对称设于所述磁电阻传感元件的两侧，所述第二磁力线聚集器设于所述MEMS谐振器表面，并在所述MEMS谐振器的带动下沿上下向振动；所述MEMS谐振器包括硅层和压电驱动层，所述压电驱动层设于所述基底的上端面，所述硅层安装于所述基底的下端面，并且所述第二磁力线聚集器设于所述硅层的下表面；或者，所述MEMS谐振器包括硅层、金属层和交流激励门栅，所述硅层安装于所述基底的上端面，所述金属层安装于所述硅层的上表面，所述第二磁力线聚集器设于所述金属层的上表面，所述交流激励门栅设于所述硅层的下方。

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