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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210093639.3，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法是由史彦涛;王宇迪设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法在说明书摘要公布了：本发明属于新材料技术以及新能源技术领域，提供了一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法，具体是将缺陷控制的碳纳米管与有机p型半导体混合制备的空穴传输材料旋涂在钙钛矿层表面，随后沉积碳电极，组装成的碳基钙钛矿太阳能电池。本发明中通过控制碳纳米管的缺陷态密度调控载流子输运特性，通过调节空穴传输层中碳纳米管的含量改善薄膜表面粗糙度、功函数和载流子迁移率，优化空穴传输层与碳电极的界面接触和能级匹配，提高了碳基钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，同时具有制备方法简单、稳定性高、成本低廉、普适性优的特点。本发明可以推动碳基钙钛矿太阳能电池的实用化，加速钙钛矿太阳能电池的产业化进程，具有重要的实用价值和经济价值。

本发明授权一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳基钙钛矿太阳能电池性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将碳纳米管分散于体积比为1：0.5～5的浓度为98wt.％的浓硝酸和浓度为98wt.％的浓硫酸的混合溶液中，然后在25～60℃下超声处理1～12小时，将分散液用去离子水反复清洗至中性，所得固体在真空条件下干燥24～48小时，得到缺陷态密度调控的碳纳米管粉末；2将步骤1获得的碳纳米管粉末，以0.01～0.1gL的浓度分散于氯苯或其他溶剂中，球磨10～24小时，得到均匀分散的缺陷控制碳纳米管溶液；3配制浓度为0.1～1molL的SnO2纳米晶水溶液；4将碘化铅溶于体积比为8～10:1的DMF和DMSO混合溶液，浓度为1～2molL；5将碘甲脒、碘甲胺、氯甲胺按照质量比为10～30:1:1～2溶于异丙醇溶液中，控制溶质总浓度为0.5～1molL；6将p型有机半导体材料、LiTFSI、TBP按照质量比为6～10:1:0.001～0.005溶于步骤2中的缺陷控制碳纳米管溶液中制备成空穴传输层溶液，其中，有机半导体材料浓度为0.5～1.5molL；7将石墨烯粉末，以0.3～2gL的浓度分散于异丙醇中，球磨10～24小时，得到均匀分散的石墨烯分散液；8将步骤3中的SnO2纳米晶水溶液在FTO或ITO导电玻璃基体上旋涂：转速为2000～6000转分，时间30秒，之后在80～200℃下加热30～60分钟；9将步骤4制备的碘化铅溶液旋涂在步骤8制备的二氧化锡表面，转速为1500转分，时间为30秒，之后在60～100℃下加热5～30秒；10将步骤5制备的溶液旋涂在步骤9的薄膜表面，转速为2000～4000转分，时间为30秒，之后在100～150℃下加热5～20分钟；11将步骤6制备的空穴传输层溶液旋涂在步骤10的薄膜表面，转速为1000～4000转分，时间为30秒；12将步骤7制备的石墨烯分散液喷涂在步骤11的薄膜表面，厚度为0.5～10微米，得到半电池A；13将步骤7制备的石墨烯分散液喷涂在FTO或ITO导电玻璃基体上，厚度为0.5～10微米，得到半电池B；14将所述半电池A与B相对封装，组装成碳基钙钛矿太阳能电池。

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