恭喜浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心陈颖获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心申请的专利超薄芯片及其平整化方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210362697.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权超薄芯片及其平整化方法和应用是由陈颖;王添博;汪照贤;王禾翎设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本超薄芯片及其平整化方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种超薄芯片及其平整化方法和应用。该平整化方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。该平整化方法能够提高相同厚度薄膜所引入的永久拉应力，从而在增加较少厚度的基础上，改善超薄芯片的翘曲程度，进而提高超薄芯片的封装良率以及可靠性。
本发明授权超薄芯片及其平整化方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄芯片的平整化方法，其特征在于，包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲，其中，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲时，翘曲度为α，α的取值范围为10μm-1000μm；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲，其中，所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲时，翘曲度为β，β的取值范围为10μm-1000μm，且α与β的差的绝对值小于或等于100μm；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心，其通讯地址为：314051 浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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