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龙图腾网恭喜联合微电子中心有限责任公司申请的专利半导体工艺方法、芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609517.5，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体工艺方法、芯片及其制造方法是由赵建国;李来洋;张栖瑜;龚夕淮设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺方法、芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体工艺方法。该方法包括将器件晶圆键合至载片晶圆。器件晶圆要从初始厚度减薄至目标厚度。该方法还包括确定器件晶圆与载片晶圆之间所形成的未键合区域的径向尺寸。未键合区域从器件晶圆与载片晶圆之间的键合界面的边缘沿器件晶圆的径向延伸径向尺寸至器件晶圆的边缘。该方法还包括将器件晶圆从初始厚度减薄至中间厚度。中间厚度大于或等于预定比例的径向尺寸。该方法还包括填充未键合区域以使得未键合区域中未被填充的未填充区域的径向尺寸减小至临界尺寸以下。临界尺寸是目标厚度的函数。该方法还包括将器件晶圆从中间厚度减薄到至目标厚度。

本发明授权半导体工艺方法、芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，包括：将器件晶圆键合至载片晶圆，其中，所述器件晶圆要从初始厚度减薄至目标厚度；确定所述器件晶圆与所述载片晶圆之间所形成的未键合区域的径向尺寸，其中，所述未键合区域从所述器件晶圆与所述载片晶圆之间的键合界面的边缘沿所述器件晶圆的径向延伸所述径向尺寸至所述器件晶圆的边缘；将所述器件晶圆从所述初始厚度减薄至中间厚度，其中，所述减薄在考虑所述未键合区域的径向尺寸与所述器件晶圆的所述中间厚度之间的如下关系的情况下执行：所述中间厚度大于或等于预定比例的所述径向尺寸，所述预定比例大于等于120且小于等于15；填充所述未键合区域以使得所述未键合区域中未被填充的未填充区域的径向尺寸与所述器件晶圆的所述目标厚度之间具有以下关系：所述径向尺寸被减小至临界尺寸以下，所述临界尺寸大于等于所述目标厚度的5倍且小于等于所述目标厚度的20倍；以及将所述器件晶圆从所述中间厚度减薄到至所述目标厚度，以使得所述减薄在考虑所述未键合区域中未被填充的未填充区域的径向尺寸与所述器件晶圆的所述目标厚度之间的所述关系的情况下执行。

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