恭喜安徽大学卢文娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115051698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210695673.8,技术领域涉及:H03K17/28;该发明授权适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法是由卢文娟;王丽萍;王志轩;彭春雨;赵强;郝礼才;戴成虎;高珊;吴秀龙;陈军宁设计研发完成,并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法在说明书摘要公布了:本发明涉及适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法。延时电路包括:缓冲器、级联的N个延时单元、N个漏电单元、N个负载电容。延时单元包括PMOS管PM1和NMOS管NM1,漏电单元包括PMOS管PM5。PM1的栅极和NM1的栅极连接并作为延时单元的输入端,PM1的源极和PM5的栅极连接,NM1的源极、负载电容的下极板和PM5的漏极连接,PM1的漏极、NM1的漏极、PM5的源极和负载电容的上极板连接作为延单元的输出端,缓冲器的输入端连接位于末级的延时单元的输出端。本发明在电压源上电或下电时,通过漏电单元自适应地及时将多余电荷泄放,从而保证正确的延时功能和延时大小。
本发明授权适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法在权利要求书中公布了:1.一种适用于低功耗芯片的延时电路,其特征在于,其包括:级联的N个延时单元,每个延时单元包括一个PMOS管PM1和一个NMOS管NM1;PM1的栅极和NM1的栅极连接并作为相应延时单元的输入端,PM1的源极连接电压源VDDH,NM1的源极连接电压源AVSS,PM1的漏极和NM1的漏极连接作为相应延时单元的输出端;在级联的多个延时单元中,位于首级的延时单元的输入端作为整个延时电路的输入端IN;与所述延时单元一一对应的N个漏电单元,每个漏电单元包括一个PMOS管PM5;PM5的栅极连接对应延时单元中PM1的源极,PM5的漏极连接电压源AVSS,每个漏电单元中的PM5的源极连接相应延时单元的输出端;与所述延时单元一一对应的N个负载电容CAP1,每个CAP1的上极板连接相应延时单元的输出端,下极板连接相应的接地电压源AVSS;以及缓冲器,其输入端连接位于末级的延时单元的输出端,所述缓冲器的电源端连接电压源VDDH,所述缓冲器的接地端连接电压源AVSS,所述缓冲器的输出端作为整个延时电路的输出端OUT。
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