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龙图腾网恭喜沈阳工业大学申请的专利一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116407106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210717264.3，技术领域涉及：A61B5/0515；该发明授权一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备是由李天舒;白石;邹宇琪;杨辉;盖伶柯;刘志尧;李克文;张秦阳;崔豪;侯福旭;林禹熙设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备在说明书摘要公布了：一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备，采用小型化磁传感器阵列作为检测单元，利用传感器相对被扫描物体的相对空间位置不同实现空间定位；磁传感器采用正负对称串联结构，大幅降低激励噪声对检测信号的干扰；也可采取多层线圈嵌套的模式进一步降低激励干扰并防止磁传感器饱和；且系统采用开放式成像结构，具有较大的开放式成像空间；由于直接以阵列式磁传感器对示踪剂进行定位，使磁粒子成像设备摆脱对高强度梯度磁场的严重依赖，非常便于进行任意成像区间的设置及扩大成像区间，对实现临床连续动态成像等具有重要技术进步价值。

本发明授权一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备在权利要求书中公布了：1.一种无梯度场的阵列式磁粒子成像设备，包括激励线圈（1）、阵列式磁传感器（3）、开放式扫描区域（4）以及上位机（11），其特征在于：所述激励线圈（1）采用亥姆霍兹线圈组结构，开放式扫描区域（4）位于亥姆霍兹线圈组中间的匀场区；在所述亥姆霍兹线圈组的每个线圈的中心部位设置有两组阵列式磁传感器（3），所述亥姆霍兹线圈组产生的磁力线垂直穿过阵列式磁传感器（3）的有效检测方向，两组阵列式磁传感器（3）以位于亥姆霍兹线圈组Z轴方向中点的X,Y平面为轴相反排布，相对位置的两个阵列式磁传感器（3）输出端串联连接，以抵消激励背景噪声干扰；所述阵列式磁粒子成像设备采用超顺磁纳米粒子为示踪剂，阵列式磁传感器（3）中的每个传感器均对信号扫描区域内的示踪剂磁化信号进行采集，并变换为电压值输出至上位机（11），上位机（11）的图像重建单元依据预先测定的系统函数对电压值进行图像重建，获得示踪剂浓度分布图；在亥姆霍兹线圈组内与亥姆霍兹线圈中心线同轴缠绕有消除线圈组（2），激励线圈（1）与消除线圈组（2）频率与相位相同，激励线圈（1）在所述阵列式磁传感器位置所产生的磁场强度与消除线圈组（2）产生的磁场强度相同但方向相反，为阵列式磁传感器（3）抵消激励背景噪声并防止传感器饱和；在亥姆霍兹线圈组中心附近，激励线圈（1）产生的磁场强度远大于消除线圈组（2），作为磁粒子成像的扫描区域；阵列式磁传感器（3）位于消除线圈组（2）的内部。

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