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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种混合集成单光子LED器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210932216.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种混合集成单光子LED器件的制备方法是由张加祥;欧炜文;欧欣;朱一帆;王旭东设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合集成单光子LED器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。

本发明授权一种混合集成单光子LED器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合集成单光子LED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P-I-N结构，得到第一薄膜；S2：在所述第一薄膜上沉积预设的第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得具有台阶型P-I-N结构的第二薄膜；S3：对牺牲层进行彻底地侧向选择性湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜，所述第三薄膜包括台阶型P-I-N结构和覆盖在其上表面的所述第一金属图案；S4：利用具有粘性的柔性材料拾起所述第三薄膜并翻转180°；S5：在第二衬底上沉积预设的第二金属图案；S6：将所述第三薄膜的所述第一金属图案与所述第二金属图案对准与接触，加热并施加压力，以进行金-金键合，得到第四薄膜；S7：在所述第四薄膜上沉积预设的第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件；步骤S2进一步包括：S21：对第一薄膜进行清洗、旋涂光刻胶、光刻、显影、金属镀膜、光刻胶剥离，在第一薄膜的表面沉积预设的第一金属图案；S22：利用该第一金属图案作为掩膜，对所述第一薄膜进行第一次腐蚀或刻蚀，腐蚀或刻蚀掉所述P-I-N结构的I型区域与P型掺杂区域，留下N型掺杂区域；S23：再次进行清洗、旋涂光刻胶、光刻、显影，获得覆盖所述第一金属图案且面积更大的光刻胶图案；S24：利用所述光刻胶图案作为掩膜，对所述第一薄膜进行第二次腐蚀或刻蚀，腐蚀或刻蚀掉N型掺杂区，到牺牲层处停止，然后洗去光刻胶图案，获得具有台阶型P-I-N结构的第二薄膜。

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