恭喜上海交通大学桑锐获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115494585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210961078.4，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法是由桑锐;孙启尧;孙璐设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法在说明书摘要公布了：一种光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法，通过在SOI晶圆上采用电子束光刻和电感耦合等离子体蚀刻制备出一个直波导耦合器和一个与之平行的基于拓扑结构的一维光子晶体纳米束微腔，再通过等离子体增强化学气相沉积，在该结构的暴露顶面上沉积一层二氧化硅，然后通过向直波导耦合器的一端注入光信号，在另一端得到透射光，实现光学滤波。本发明将光学拓扑结构应用到无源滤波器中，不仅实现了滤波器的高Q值、高消光比高透射率、低模式体积等特性，还大大减小了器件尺寸，增强了器件的鲁棒性。
本发明授权光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法在权利要求书中公布了：1.一种光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法，其特征在于，通过在SOI晶圆上采用电子束光刻和电感耦合等离子体蚀刻制备出一个直波导耦合器和一个与之平行的基于拓扑结构的一维光子晶体纳米束微腔，再通过等离子体增强化学气相沉积，在该结构的暴露顶面上沉积一层二氧化硅，然后通过向直波导耦合器的一端注入光信号，在另一端得到透射光，直波导耦合器与一维光子晶体纳米束微腔之间构成侧耦合，且在两个拓扑不同的光子晶体之间的界面上形成了纳米腔的拓扑缺陷，保证了其光子带隙内只存在一种模式，实现光学滤波。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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