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龙图腾网恭喜北京英孚瑞半导体科技有限公司申请的专利一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022239.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法是由弭伟;杨志茂;王斌;陈新荣设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法，其光吸收层为In0.53Ga0.47As吸收层，空穴在光吸收层中为多数载流子，光生空穴的产生速度为其介质弛豫速度，在飞秒量级，可以忽略。光生电子在In0.53Ga0.47As吸收层中通过扩散和漂移运动至N型InP漂移层；同时在本发明的探测器，只有电子一种载流子控制实际的输运速度，相比于传统的PIN型InP焦平面探测器，本发明的探测器不受制于速度较慢的空穴，因此，其响应速度大幅度提高。在In0.53Ga0.47As吸收层的Zn扩散掺杂浓度从上往下逐步降低，因此其能带从上往下逐步降低，这将辅助电子的扩散，提高扩散速度。

本发明授权一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用MOCVD或者MBE的沉积方式在N型InP衬底1上依次生长N型InP缓冲层2、N型InP漂移层3、N型InGaAsP过渡层4、In0.53Ga0.47As吸收层5、本征In0.52Al0.48As电子阻挡层6和本征InP盖层7；步骤二：利用PECVD的沉积方式在本征InP盖层7的上表面沉积SiN薄膜8；步骤三：利用光刻胶在SiN薄膜8的表面形成Zn扩散窗口图形阵列，利用刻蚀的方法去除Zn扩散窗口图形阵列上的SiN薄膜8，使下方的所述本征InP盖层7暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，形成Zn扩散窗口阵列9；步骤四：利用MOCVD或者炉管法在所述Zn扩散窗口阵列9区域进行Zn扩散，形成P-型扩散阵列10，被扩散的区域包括本征InP盖层7、本征In0.52Al0.48As电子阻挡层6和In0.53Ga0.47As吸收层5，停止在N型InGaAsP过渡层4的上表面，所述P-型扩散阵列10区域为感光区域，经过Zn扩散后，本征InP盖层7、本征In0.52Al0.48As电子阻挡层6和In0.53Ga0.47As吸收层5转化为P型，所述In0.53Ga0.47As吸收层5的P型掺杂浓度自上而下降低，从5×1017～5×1018cm3降至1×1017～5×1017cm3；步骤五：利用光刻胶在所述Zn扩散窗口阵列9内，所述P-型扩散阵列10的上方，蒸镀金属并进行金属剥离，退火后形成欧姆接触，得到P金属电极阵列11；步骤六：利用光刻胶在所述P-型扩散阵列10区域周围形成一圈沟道图形，通过腐蚀得到沟道区域12，腐蚀完成后去除光刻胶，被腐蚀的区域包括本征InP盖层7、本征In0.52Al0.48As电子阻挡层6、In0.53Ga0.47As吸收层5、N型InGaAsP过渡层4、N型InP漂移层3和N型InP缓冲层2，停止在N型InP缓冲层2上方；步骤七，利用光刻胶在所述沟道区域12形成N电极金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射蒸镀金属并进行金属剥离，退火后形成欧姆接触，得到N金属电极环13；步骤八：利用PECVD的沉积方式在所有裸露在外的上表面上沉积SiNx薄膜14；步骤九：利用光刻胶在所述SiNx薄膜14上形成VIA孔洞15图形，所述VIA孔洞15图形在P金属电极阵列11上方以及在N金属电极环13上方，利用刻蚀的方法去除P金属电极阵列11上方和N金属电极环13上方的SiNx薄膜14，使P金属电极阵列11和N金属电极环13暴露出来，得到VIA孔洞15；步骤十：利用光刻胶在所述VIA孔洞15的上方形成UBM金属16图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射蒸镀金属并进行金属剥离，在所述P金属电极阵列11和N金属电极环13的正上方形成UBM金属16，所述UBM金属16图形的孔径大于等于VIA孔洞15的孔径；步骤十一：将所述N型InP衬底1的背面减薄、抛光后，减薄和抛光后的N型InP衬底1厚度为50～200um，利用PECVD、磁控溅射或者热蒸发的方法在减薄和抛光后的N型InP衬底1的下表面淀积减反膜17。

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