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恭喜青岛科技大学范高超获国家专利权

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龙图腾网恭喜青岛科技大学申请的专利一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115932264B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211033842.8,技术领域涉及:G01N33/574;该发明授权一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用是由范高超;徐亚群;王灏;陈惠敏;罗细亮设计研发完成,并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用,属于生物传感器技术领域。本发明是以高光电流信号响应FTOZnIn2S4光阳极和FTOCuInS2Pt光阴极共同作为信号转换元件,将目标抗原对应的捕获抗体修饰于光阴极,以序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽作为抗生物大分子污染界面刷,防止蛋白质等生物大分子在电极表面的非特异性吸附而产生假阳性信号、降低检测的特异性和敏感性,通过捕获抗体与目标抗原之间的特异性免疫反应,实现对目标抗原的特异性检测,利用高光电流信号响应FTOZnIn2S4光阳极可以产生较大的光电流信号,实现双光电极免疫传感器对目标抗原高灵敏度的检测。

本发明授权一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器,其特征在于,包括高光电流信号响应FTOZnIn2S4光阳极和FTOCuInS2Pt光阴极,所述FTOCuInS2Pt光阴极的表面先通过目标抗原对应的捕获抗体进行修饰,然后将修饰后的FTOCuInS2Pt光阴极用序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽进一步修饰;所述捕获抗体的浓度为100~250μgmL。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人青岛科技大学,其通讯地址为:266042 山东省青岛市市北区郑州路53号青岛科技大学四方校区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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