恭喜临沂大学张红秀获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜临沂大学申请的专利一种p-n异质结光电阴极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115354343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211039816.6，技术领域涉及：C25B1/02；该发明授权一种p-n异质结光电阴极材料及其制备方法是由张红秀;崔文硕;胡其图;郑秀文设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p-n异质结光电阴极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p‑n异质结光电阴极材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。所述光电阴极材料为层状包括：基底层；所述基底层上从下到上依次设置附着有Au层、Cu2O薄膜层、SnS2薄膜层和全氟磺酸聚合物薄膜层；所述全氟磺酸聚合物薄膜层表面负载有析氢催化剂；所述析氢催化剂为NiCoSex。本发明中，通过在Cu2O薄膜层表面负载SnS2薄膜层，Cu2O与SnS2形成了异质结，有利于光生电子‑空穴的分离，提高开路电压，并且通过在SnS2表面形成稳定致密全氟磺酸聚合物薄膜层和负载高效析氢催化剂NiCoSex，有助于降低光生电子‑空穴复合率，提高光电催化析氢的效率，并对电极进行保护，提高稳定性。
本发明授权一种p-n异质结光电阴极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-n异质结光电阴极材料，其特征在于，所述光电阴极材料为层状，包括：基底层；所述基底层上从下到上依次设置附着有Au层、Cu2O薄膜层、SnS2薄膜层和全氟磺酸聚合物薄膜层；所述全氟磺酸聚合物薄膜层表面负载有析氢催化剂；所述析氢催化剂为NiCoSex；，所述Au层的厚度为100～200mm；所述Cu2O薄膜层的厚度为1.5～2.5μm；所述基底层为ITO导电玻璃层；所述Cu2O薄膜层中，Cu2O的微观晶体形貌为立方型晶体，所述Cu2O薄膜层整体为致密的不均匀微纳米锥阵列薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人临沂大学，其通讯地址为：276000 山东省临沂市兰山区工业大道北段西侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号