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龙图腾网恭喜思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117810080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211165528.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王永;吴建刚设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体主体，包括衬底、埋层以及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的顶表面延伸到埋层中或者外延层中靠近埋层的位置处。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供半导体主体11，所述半导体主体11包括衬底1、设置在所述衬底1之上的埋层2以及设置在所述埋层2之上的外延层3，所述衬底1具有第一掺杂类型，所述埋层2具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；在所述外延层3上形成硬掩模层4；使用软掩模层10对所述硬掩模层4和所述半导体主体11进行刻蚀，以在所述半导体主体11中形成第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53；从所述硬掩模层4的顶表面剥离所述软掩模层10；沉积未掺杂的多晶硅80，使得所述第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53的侧壁和底部上形成未掺杂的多晶硅80；沉积扩散材料81，使得所述第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53的侧壁和底部上形成所述扩散材料81；使用填充材料完全填充所述第三沟槽53；从所述第一沟槽51和第二沟槽52中去除所述扩散材料81和所述填充材料；靠近所述第三沟槽53的侧壁在所述外延层3中形成具有所述第二掺杂类型的第一掺杂区83，所述第一掺杂区83从所述外延层3的顶表面延伸到所述埋层2，并且被配置为将所述埋层2电连接至所述外延层3的顶表面；在所述第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53的侧壁和底部上形成沟槽氧化物层44；沉积介电层8，使得所述第一沟槽51、第二沟槽52和第三沟槽53的侧壁和底部的氧化物层上形成介电层8，并对所述第一沟槽51的底部的所述介电层8和氧化物层进行刻蚀；沉积导电材料84，使得所述导电材料至少填充所述第一沟槽51；去除所述硬掩模层4上的导电材料84；在所述外延层3中形成多个器件区域。

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