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龙图腾网恭喜深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利X射线荧光光谱分析设备的标定方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211340252.X，技术领域涉及：G01N23/223；该发明授权X射线荧光光谱分析设备的标定方法及装置是由黄宇翔;张贝;贡志锋;陈治均;郑翠芳;陈金文;李卓;张雪娜;洪峰设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本X射线荧光光谱分析设备的标定方法及装置在说明书摘要公布了：本申请适用于设备校准技术领域，提供了X射线荧光光谱分析设备的标定方法及装置，方法包括：根据所述光斑位于所述B元素区时所述探测器的返回信号与所述B元素区元素的X射线荧光光谱校准所述探测器的峰位，并记录所述B元素区的峰位强度为基准强度；根据所述光斑的参考坐标与所述B区测试点重合时所述探测器返回信号、所述测试比例以及所述基准强度，校准所述光斑的参考坐标。本申请针对B元素区校准探测器峰位，并在基准强度的基础上，利用各B元素区间的面积比例对光斑位置进行精确校准，实现了光路、峰位以及强度的联合校准。

本发明授权X射线荧光光谱分析设备的标定方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种X射线荧光光谱分析设备的标定方法，其特征在于，利用校准晶圆实现标定；所述校准晶圆包括B标定区，所述B标定区包括至少2个由已知X射线荧光光谱的元素构成的B元素区，且所述B元素区的边界经过预设的B区测试点；所述分析设备的光源能够照射至所述校准晶圆产生具有参考坐标的光斑，并由所述分析设备的探测器获取光斑处元素的X射线荧光光谱；以所述B区测试点为中心的光斑区域内，所述B元素区的面积比例为预设的测试比例；所述标定方法包括：根据所述光斑位于所述B元素区时所述探测器的返回信号与所述B元素区元素的X射线荧光光谱校准所述探测器的峰位，在垂直于所述校准晶圆的方向上移动所述光源，记录所述探测器的返回信号强度大于第一预设强度时所述光源的坐标，记为Z坐标；确定不同所述B元素区的Z坐标相同，则将所述光源处于所述Z坐标，且所述光斑位于所述B元素区时所述探测器的返回信号强度记录为所述B元素区的基准强度；否则，则以预设的方法对所述分析设备的光路进行校准；根据所述光斑的参考坐标与所述B区测试点重合时所述探测器返回信号的强度与所述基准强度的比值，是否与所述测试比例一致，校准所述光斑的参考坐标。

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