恭喜上海积塔半导体有限公司庄望超获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211366972.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法是由庄望超;沈显青;王海南设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，应用于半导体制造技术领域，其中，一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，包括：获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；根据映射曲线，确定腔体覆盖环的尺寸数据；确定尺寸数据后，得到工艺腔体。由于改变腔体覆盖环的尺寸数据，会直接影响到工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率的均匀性，因此通过本说明书实施例提供的技术方案可以有效的改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能，并且，通过改变腔体覆盖环的尺寸的方式可以增大腔体刻速率均匀性的调整范围。
本发明授权一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，其特征在于，包括：获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；根据所述映射曲线，确定所述腔体覆盖环的尺寸数据；确定所述尺寸数据后，得到所述工艺腔体；以实现通过映射曲线改变的腔体覆盖环的尺寸来影响腔体刻蚀速率均匀性，并通过映射曲线能够相应增大腔体刻蚀速率均匀性的调整范围；其中，所述腔体覆盖环设置在静电吸盘的外边缘，与所述静电吸盘连接；所述工艺腔体，包括：刻蚀腔体；通过所述腔体覆盖环的尺寸数据，确定所述工艺腔体的体积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201208 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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