恭喜中国建筑材料科学研究总院有限公司霍艳丽获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国建筑材料科学研究总院有限公司申请的专利高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116143543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211631352.8，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用是由霍艳丽;刘海林;黄小婷;郑英晗;杨泰生;贾志辉;王浩然;李荟;王华设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明是关于一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；2高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；3在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷。本发明所要解决的技术问题是如何提高多孔碳化硅陶瓷的纯度，使其纯度可以达到99.9％以上，强度达到50MPa，满足其在半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理中的应用要求。
本发明授权高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高纯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：1）制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9%的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；2）高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；3）在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷；所述第二碳化硅陶瓷生坯的强度6~11Mpa；所述沉积为化学气相沉积；所述碳化硅薄膜的纯度≥99.9%；所述碳化硅薄膜的厚度为20~40微米。
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