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龙图腾网恭喜新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118056281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380013901.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由中村浩尚;大河亮介;安田英司设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1是具有在第一方向上延伸的第一栅极沟槽17以及形成得比第一栅极沟槽17深的第二栅极沟槽27、形成在第一栅极沟槽17内部的第一栅极绝缘膜16及第一栅极导体15、和形成在第二栅极沟槽27内部的第二栅极绝缘膜26及第二栅极导体25的纵型场效应晶体管10，第一栅极导体15和第二栅极导体25是相同电位，设第一栅极沟槽17的条数为n时，第二栅极沟槽27的条数是2以上且n+1以下，在与低浓度杂质层33的上表面平行且与第一方向正交的第二方向上，设置第一栅极沟槽17和第二栅极沟槽27的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽27。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，是纵型场效应晶体管，具有：第1导电型的半导体衬底，含有上述第1导电型的杂质；上述第1导电型的低浓度杂质层，在上述半导体衬底上相接而形成，含有比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质浓度低的浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域；源极电极，与上述体区域及上述源极区域电连接；第一栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成为到上述低浓度杂质层的一部分为止的深度，具有与上述源极区域接触的部分，在与上述低浓度杂质层的上表面平行的第一方向上延伸；第二栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通且形成得比上述第一栅极沟槽深，具有与上述源极区域接触的部分，在上述第一方向上延伸；第一栅极绝缘膜，形成在上述第一栅极沟槽的内部；第一栅极导体，形成在上述第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，形成在上述第二栅极沟槽的内部；以及第二栅极导体，形成在上述第二栅极绝缘膜上，上述第一栅极导体和上述第二栅极导体是相同电位，当设上述第一栅极沟槽的条数为n时，上述第二栅极沟槽的条数是2以上且n+1以下，n是1以上的整数，在与上述低浓度杂质层的上表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上，设置上述第一栅极沟槽和上述第二栅极沟槽的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽，在上述第二方向上，设置上述第一栅极沟槽和上述第二栅极沟槽的区域是以最相邻而成对的上述第二栅极沟槽在其间夹着1个上述第一栅极沟槽的构造为单位构造而将上述单位构造周期性设置而成的，在上述单位构造的最端部设置的上述第二栅极沟槽被相邻的上述单位构造彼此共用，上述第一栅极沟槽和上述第二栅极沟槽在上述第二方向上分别1个1个地交替地设置，上述第二方向上的上述第一栅极沟槽与上述第二栅极沟槽的间隔是一定的，上述第一栅极沟槽的深度与上述第二栅极沟槽的深度之差是160nm以上。

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