恭喜西安交通大学建艳飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116768283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310649668.8，技术领域涉及：C01G51/04；该发明授权一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用是由建艳飞;何炽;刘昱洁;徐赫设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用，向醇溶液中加入钴源，搅拌均匀后，在190‑220℃下水热反应48‑96h，得到暴露111晶面超薄CoO片；将暴露111晶面超薄CoO片加热即可。由于HOCH2COO‑物种之间的氢键和范德华相互作用，CoO核之间会产生定向的短程引力。CoO核在定向短程吸引和静电相互作用的驱动下自组装成亚纳米厚度的暴露111晶面的二维CoO纳米片。本发明制备的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片具有大量的低配位Co原子、缺陷位点以及较大的反应面积，从而提高了其低温催化氧化的活性。
本发明授权一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：向醇溶液中加入钴源，搅拌均匀后，在190-220℃下水热反应48-96h，洗涤，干燥，得到暴露111晶面超薄CoO片；将暴露111晶面超薄CoO片加热，得到暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片；钴源为2,4-戊二酸钴、环烷酸钴或硼酰化钴；加热的温度为300-400℃，时间为30-60min。
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