恭喜宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军获国家专利权
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龙图腾网恭喜宁波江丰电子材料股份有限公司申请的专利一种二硅化钼靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117105672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311081727.2，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种二硅化钼靶材的制备方法是由姚力军;潘杰;李爽;黄东长;吴东青设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二硅化钼靶材的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二硅化钼靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1混合钼粉和硅粉，然后进行球磨，得到混粉料；2将步骤1得到的所述混粉料在1200‑1400℃下进行热压烧结，得到坯料；3将步骤2得到的所述坯料进行机加工，得到靶材。本发明提供的制备方法能够得到含有MoSi2单相的靶材，并且纯度和致密度较高，微观组织结构均匀，能够满足高端电子行业对于靶材的性能要求。
本发明授权一种二硅化钼靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二硅化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1混合钼粉和硅粉，然后进行球磨，得到混粉料；所述混粉料中钼和硅的原子比为1:2.05-2.1；2将步骤1得到的所述混粉料在1200-1400℃下进行热压烧结，得到坯料；所述热压烧结的过程包括依次进行的升温和保温；所述升温的速率为5-10℃min，终点温度为1200-1400℃；所述终点温度下进行保温，所述保温的时间为2-3h；所述保温的同时还进行保压，所述保压的压力为30-40MPa；3将步骤2得到的所述坯料进行机加工，得到靶材；所述制备方法得到含有MoSi2单相的靶材，并且纯度和致密度较高，微观组织结构均匀。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波江丰电子材料股份有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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