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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器及应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117250672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311374288.4，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器及应用方法是由帅永;周思宏;董士奎;宋家萌;潘庆辉;郭延铭设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器及应用方法在说明书摘要公布了：一种基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器及应用方法，属于微纳光子器件技术领域。本发明针对现有热辐射器的热辐射特性调控幅度小，调控波长范围窄的问题。调控器由周期性排布于二氧化硅基底上的多个正方形调控单体组成；每个正方形调控单体为四层平面叠层结构，包括依次从下至上的银金属层、中间介质层、非晶相相变材料层和介质减反层；介质减反层包括四层子层，每层子层的材质为砷化镓、锗和硫化锌中的一种；中间介质层及每层子层的材质和厚度以及非晶相相变材料层的厚度通过优化确定以体现特定目标颜色；根据红外双波段发射率目标值确定光栅结构晶相相变区间在周期结构内面积占比。本发明可用于目标环境的可见‑红外多波段兼容热迷彩伪装。

本发明授权基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器及应用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铟锑碲的多波段兼容可编程热辐射器，其特征在于，由周期性排布于二氧化硅基底上的多个正方形调控单体组成，多个正方形调控单体排布形成矩形阵列；每个正方形调控单体为四层平面叠层结构，包括依次从下至上的银金属层1、中间介质层2、非晶相In3SbTe2相变材料层3和介质减反层5；所述介质减反层5包括四层子层，每层子层的材质为砷化镓、锗和硫化锌中的一种；对每个正方形调控单体，以在可见波段内呈现目标颜色及在3-5微米及8-14微米的红外波段内具备最大光谱发射率调控范围为目标进行优化，确定中间介质层2及每层子层的材质和厚度以及非晶相In3SbTe2相变材料层3的厚度；所述非晶相In3SbTe2相变材料层3采用激光直写激励源加热方式在中段延伸形成光栅结构晶相In3SbTe2相变区间4；光栅结构晶相In3SbTe2相变区间4采用高能瞬时激光加热到熔融温度后再冷却为非晶相In3SbTe2相变材料层3；对于每个正方形调控单体，根据光谱发射率目标值确定光栅结构晶相In3SbTe2相变区间4相对于非晶相In3SbTe2相变材料层3的面积占比；将正方形调控单体按对应的CIE1931色度xy坐标目标值及在中红外3-5微米及远红外8-14微米实现最大发射率调控能力这两个目标，通过遗传优化算法逆向优化设计各层的厚度及各介质层的组成材料选取，使器件能够体现出在实现红外3-5微米及8-14微米热发射调控幅度范围最大的基础上同时具有期望的颜色特性，逆设计优化的适应度函数值F1及F2为： 式中及为在3-5微米，5-8微米及8-14微米波段器件相变前后的平均发射率差值，xaim，yaim为目标颜色在CIE1931色度坐标中的期望坐标值；x为热迷彩目标颜色在CIE1931xy色度系统中的横坐标，y为热迷彩目标颜色在CIE1931xy色度系统中的纵坐标。

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