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龙图腾网恭喜山东上达稀土材料有限公司;聊城大学申请的专利一种原位TiC/TiB₂二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117778872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311500323.2，技术领域涉及：C22C38/00；该发明授权一种原位TiC/TiB₂二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料及其制备方法是由倪俊杰;徐凯;周书台;王志伟设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原位TiC/TiB₂二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种原位TiCTiB2二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料及其制备方法，属于永磁材料技术领域；通过利用TiC和TiB2化合物在钕铁硼烧结温度可原位生成且协同改性的特点，提出一种二者原位析出利于材料致密化的TiCTiB2纳米硬质相协同晶界改性的耐蚀富铈钕铁硼材料及其制备方法；制得的富铈钕铁硼材料与外加微米TiCTiB2改性富铈钕铁硼材料相比，具有更高的抗蚀性和磁性；同时与常用外加强化相富铈钕铁硼材料制备方法相比，省却了硬质相的高温合成环节，节约了能源，降低了生产成本。

本发明授权一种原位TiC/TiB₂二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位TiCTiB2二元陶瓷硬质相晶界改性富铈钕铁硼材料的制备方法，其特征在于，所述改性富铈钕铁硼材料的表示组成为：[RExGa,Al,Zn,Cu,ZryFe100-x-y-zBz]100-v[TiCuTiB2100-u]v；其中，RE为磁体用稀土元素，包括必选元素Ce和自选元素Nd、Pr、La、Sm、Ho中的一种或多种，CeRE≥10%；x、y和z分别代表了RE、Ga,Al,Zn,Cu,Zr、B元素在RExGa,Al,Zn,Cu,ZryFe100-x-y-zBz合金中的质量比例，u代表TiCuTiB2100-u混合物中的质量比例，v代表了TiCuTiB2100-u在整个材料成分体系中的质量比例；材料成分体系中x、y、z、u和v的取值范围如下：28.5wt.%≤x≤33.5wt.%，0.5wt.%≤y≤3.5wt.%，0.85wt.%≤z≤1.05wt.%，5.0wt.%≤u≤90.0wt.%，0.05wt.%≤v≤2.95wt.%所述改性富铈钕铁硼材料制备方法具体步骤如下：步骤一：按照成分配比制作主合金RExGa,Al,Zn,Cu,ZryFe100-x-y-zBz；主合金先采用熔炼-速凝甩带工艺制成速凝薄带，然后进行氢爆、粗破碎；随后对粗破碎的RExGa,Al,Zn,Cu,ZryFe100-x-y-zBz合金屑进行气流磨，制备出磁粉；步骤二：按照TiCuTiB2100-u成分配比制作称量纯度99%以上的Ti和C、B粉料；称量Ti和C、B粉料总质量0.1%-5%的硬脂酸与乙醇混合制得球磨过程控制剂；硬脂酸与乙醇配比为每100g硬脂酸混合1ml-4ml乙醇；将Ti、球磨过程控制剂和C、B粉料装入真空球磨罐，控制球料比在8-40:1之间，随后封盖、抽真空、充入高纯氩，进行高能机械球磨，球磨结束后，获得Ti包C、B的高活性纳米晶粉体，即Ti-C-B纳米晶粉；步骤三：将步骤一准备的RExGa,Al,Zn,Cu,ZryFe100-x-y-zBz磁粉与Ti-C-B纳米晶粉混合，装入带有球磨过程控制剂的真空罐内，之后抽真空和充入高纯氩，并在球磨机上进行混粉，获得磁粉和Ti-C-B纳米晶粉分布均匀的混合粉料；步骤四：将步骤三制得的混合粉料在1.5T-2.5T的磁场中进行取向成型获得压块；之后采用油压机对压块进行等静压压制，制备出应力分布均匀的压坯；步骤五：将步骤四制备得的压坯放入真空度为1×10-3Pa～1×10-4Pa数量级的高真空烧结炉内进行烧结；烧结结束后通入氩气进行快冷，冷却至室温后获得高致密度的烧结态磁体；步骤六：将步骤五中对制备的烧结态磁体进行二级回火热处理：首先将烧结态磁体放置在真空热处理内进行一级回火，一级回火加热结束后向炉中通入氩气，快速把磁体降至室温；随后进行二级回火，二级回火加热结束后向炉中通入氩气，快速把磁体降至室温后，制得改性富铈钕铁硼材料。

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