恭喜深圳大学吕子玉获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种忆阻行为可调控的忆阻器及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117677281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311523071.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种忆阻行为可调控的忆阻器及其调控方法是由吕子玉;韩素婷;周晔;王燕;翟永彪;杜裕进设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种忆阻行为可调控的忆阻器及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种忆阻行为可调控的忆阻器，包括：衬底、活性电极、惰性电极以及设置在所述活性电极和所述惰性电极中间的介质层，其中，所述介质层的材料为相变材料。本发明采用相变材料制备介质层，构筑了相变前后忆阻行为截然不同的忆阻器，实现了从无忆阻行为到渐变型忆阻行为的转变，显著提高了忆阻器的编程灵活性。
本发明授权一种忆阻行为可调控的忆阻器及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻行为可调控的忆阻器的调控方法，其特征在于，包括：对所述忆阻器进行加湿处理，使介质层处于第一相；对所述忆阻器进行加热处理，使介质层处于第二相；其中，所述忆阻器包括：衬底、活性电极、惰性电极以及设置在所述活性电极和所述惰性电极中间的介质层，所述介质层的材料为相变材料；所述介质层经加热处理由第一相转变为第二相，经湿度处理由第二相转变为第一相；所述加热处理的温度为160℃-200℃；所述湿度处理的湿度为80-100％；所述相变材料为钙钛矿，选自CsPbIBr2、CsPbI3、CsPbI2Br、CsPbBr3中的一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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