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龙图腾网恭喜武汉华彩光电有限公司申请的专利一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117891132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311779237.X，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统是由李广洪设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光刻工艺制造技术领域，尤其涉及一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统。所述方法包括以下步骤：对光刻芯片表面进行表面预处理和憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；对芯片光刻胶涂覆封装层进行掩膜成像辅助对位和驻波消除曝光处理，以得到光刻胶封装驻波消除曝光图像；对光刻胶封装驻波消除曝光图像进行显影固化处理和缺陷监测，得到光刻胶封装显影缺陷数据；对光刻胶封装显影缺陷数据进行封装缺陷改善匹配，以生成光刻胶封装缺陷改善策略并执行相应的光刻胶封装缺陷改善作业。本发明能够实现高效的光刻胶封装改善过程。

本发明授权一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：对光刻芯片表面进行表面预处理，以得到光刻芯片粘附强化表面；对光刻芯片粘附强化表面进行憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；其中，步骤S1包括以下步骤：步骤S11：对光刻芯片表面进行杂质微粒检测，得到芯片表面杂质微粒分布信息；步骤S12：根据芯片表面杂质微粒分布信息对光刻芯片表面进行微粒清除处理，得到光刻芯片微粒清除表面；步骤S13：利用表面活性试剂对光刻芯片微粒清除表面进行活性激活处理，得到光刻芯片活性表面；步骤S14：利用等离子体处理技术对光刻芯片活性表面进行粘附均匀强化处理，以得到光刻芯片粘附强化表面；步骤S15：对光刻芯片粘附强化表面进行憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；步骤S16：对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；其中，步骤S16包括以下步骤：步骤S161：利用化学改性技术对光刻芯片粘附憎水性表面进行润湿改性控制，以得到光刻芯片润湿改性表面；步骤S162：通过引入光刻胶涂布机，并利用涂胶膜厚控制计算公式对光刻胶涂布机进行膜厚控制计算，以得到光刻胶涂覆膜厚控制值；其中，涂胶膜厚控制计算公式如下所示： ；式中，为在时间处的光刻胶涂覆膜厚控制值，为膜厚控制计算的时间变量参数，为膜厚控制计算的时间积分变量参数，为光刻胶涂布机的初始涂胶膜厚参数，为光刻胶涂布机的涂胶速度控制参数，为光刻胶涂布机的涂胶时间衰减系数，为光刻胶涂布机的涂胶频率振荡参数，为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布振幅参数，为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布均值，为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布标准差，为光刻胶涂覆膜厚控制值的修正值；步骤S163：基于光刻胶涂覆膜厚控制值利用光刻胶涂布机对光刻芯片润湿改性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；步骤S2：对芯片光刻胶涂覆封装层进行掩膜成像辅助对位，得到光刻胶封装掩膜对位图像；对光刻胶封装掩膜对位图像进行驻波消除曝光处理，以得到光刻胶封装驻波消除曝光图像；步骤S3：对光刻胶封装驻波消除曝光图像进行显影固化处理，得到光刻胶封装显影固化图像；对光刻胶封装显影固化图像进行缺陷监测，得到光刻胶封装显影缺陷数据；步骤S4：对光刻胶封装显影缺陷数据进行封装缺陷改善匹配，以生成光刻胶封装缺陷改善策略；根据光刻胶封装缺陷改善策略执行相应的光刻胶封装缺陷改善作业。

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