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申请/专利权人:陕西科技大学
申请日:2022-12-08
公开(公告)日:2025-01-17
公开(公告)号:CN115785665B
专利技术分类:..聚酰亚胺;聚酯-酰亚胺;聚酰胺-酰亚胺;聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体[2006.01]
专利摘要:本发明公开了一种高强度MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法,属于新材料技术领域。所述制备方法,包括以下步骤:采用酸刻蚀法制备MXene分散液;制备聚酰胺酸粉末;以去离子水为溶剂,叔胺为助溶剂将所述聚酰胺酸粉末进行溶解得到聚酰胺酸水溶液;将所述聚酰胺酸水溶液加入MXene分散液中,采用真空抽滤的方法得到MXene@PAA薄膜。所述方法采用聚酰亚胺作为增强材料,向其中引入π结构与MXene片层表面的Ti元素形成有效的阳离子‑π作用,可以有效的提升MXene薄膜的拉伸强度低的问题;所述复合薄膜具有优异的电磁屏蔽性能、机械性能高、易成型加工;所述复合薄膜拉伸强度大于40MPa。
专利权项:1.一种高强度MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:采用酸刻蚀法制备MXene分散液;S2:制备聚酰胺酸粉末;S3:将所述聚酰胺酸粉末用去离子水以及叔胺溶解,得到聚酰胺酸水溶液;S4:将1mL0.1mgmL聚酰胺酸水溶液加入到含有50mgMXene的分散液中,采用真空抽滤的方法制得高强度MXene基电磁屏蔽复合薄膜;所述S2中,所述制备聚酰胺酸粉末的过程为:S21:以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂向其中加入二胺单体,待二胺单体完全溶解后,分批次缓慢加入二酐单体,搅拌混合均匀,得到聚酰胺酸溶液;S22:将所述聚酰胺酸溶液倒入去离子水中析出,冷冻干燥制备得到聚酰胺酸粉末;所述S21中,所述二胺单体为2-4-氨基苯基-5-氨基苯并咪唑。
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