龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明属于薄膜沉积技术领域，具体涉及一种新型的SiC基底表面改性层的制备技术。与目前主流的磁控溅射技术制备SiC基底改性层不同，本发明使用射频离子束溅射技术。主要原理是使用高纯度的单晶硅靶为原材料。在真空下，使用无污染的射频离子源发射高能离子束轰击硅靶，当轰击粒子能量大于材料逸出功时，Si原子被溅射出靶材表面，以极高的动量沉积在SiC基底表面，最终形成改性层。该制备技术能够沉积极厚的Si改性层25um以上，制备的Si改性层晶型为各向同性的无定形态，具有极佳的可抛光性，实施例获得了0.15nm的表面粗糙度。
主权项：1.一种SiC基底表面改性层的制备方法，其特征在于，采用如下基本技术路线：A）使用高纯度的单晶硅靶材作为材料源；B）使用射频离子源作为溅射能量源，轰击Si靶材，将Si原子轰击出靶材，并沉积于SiC基底表面；C）使用射频离子源作SiC基底表面清洗；D）离子源使用无阴极的射频中和器作为电子发射源；所述SiC基底表面改性层的制备采用如下工艺过程：工艺过程一：镀膜条件准备；将Si靶材焊接绑定于水冷背板上，水冷背板装入镀膜机；将SiC基底工件表面进行清洗，固定于镀膜机工件盘上，抽真空，加热烘烤至本底真空；工艺过程二：SiC基底表面清洗；清洗用离子源充入工作气体，射频放电后，离子源拉出轰击SiC基底表面；工艺过程三：Si改性层沉积；溅射用离子源充入工作气体，射频放电后，离子源拉出轰击Si靶材表面，使得Si以稳定的沉积速度沉积于SiC基底表面，最终获得Si改性层；工艺过程三中离子束电压为900V-1450V，电流为500mA-800mA；工艺过程三所述的沉积速度为0.15nms-0.5nms；最终获得Si改性层厚度可以达到的厚度范围是10μm-50μm。
权利要求：
百度查询： 中国科学院大连化学物理研究所 一种SiC基底表面改性层的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号