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摘要：本发明涉及一种碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体，该碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：S1，通过化学气相沉积反应在基体的表面沉积第一层碳化硅涂层；S2，检测第一层碳化硅涂层的厚度；S3，改变基体的摆放姿态，根据检测结果调整化学气相沉积反应的反应时长，继续通过化学气相沉积反应沉积碳化硅涂层；S4，检测基体表面碳化硅涂层的总厚度，若总厚度达到预设厚度，则结束，若总厚度小于预设厚度，则循环步骤S3‑S4，直至碳化硅涂层的总厚度达到预设厚度。该碳化硅涂层的制备方法不仅能够使碳化硅涂层准确的达到预设厚度，还能够使碳化硅涂层完全包裹基体，避免出现污染风险。
主权项：1.一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，通过化学气相沉积反应在基体的表面沉积第一层碳化硅涂层，所述第一层碳化硅涂层的厚度为预设厚度的10%-50%；S2，检测所述第一层碳化硅涂层的厚度；S3，改变所述基体的摆放姿态，通入HCl气体并进行高温处理，根据检测结果调整化学气相沉积反应的反应时长，继续通过化学气相沉积反应沉积碳化硅涂层，其中，改变所述基体的摆放姿态的步骤包括，将所述基体旋转5°-180°；S4，检测所述基体表面所述碳化硅涂层的总厚度，若所述总厚度达到预设厚度，则结束，若所述总厚度小于预设厚度，则循环步骤S3至步骤S4，直至所述碳化硅涂层的总厚度达到预设厚度；其中，所述化学气相沉积反应的时长满足以下条件： ，Tn代表第n次化学气相沉积反应的时长，代表第1次化学气相沉积反应至第n-1次化学气相沉积反应的总时长，H代表所述预设厚度，H’代表经过n-1次化学气相沉积反应后所述碳化硅涂层的总厚度，n≥2。
权利要求：
百度查询： 浙江晶诚新材料有限公司 碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体
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