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一种薄膜体声波器件异构集成结构及其制备方法 

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摘要:本发明公开一种薄膜体声波器件异构集成结构及其制备方法,该薄膜体声波器件异构集成结构将无源器件布置到薄膜体声波器件工作所需的空腔中,实现了封装器件的高度集成,从而释放出更多的盖板空间,提高了封装盖板的利用率,同时制备方法中无源器件的第二电极制备与TSV通孔粘附层合并为同一流程,简化器件制备流程的并减少贵重金属的使用频率,降低器件制作成本。

主权项:1.一种薄膜体声波器件异构集成结构的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:步骤一:对盖板衬底100进行清洗;步骤二:采用干法刻蚀的工艺在所述盖板衬底100上形成第一空腔101;步骤三:在步骤二处理后的盖板衬底100上沉积一层第一金属,并对沉积的第一金属进行干法刻蚀,形成第一电极102;其中,所述第一电极102包括位于所述第一空腔101内的电极图案和位于所述第一空腔101外的导线;步骤四:在步骤三得到的盖板衬底100上沉积介质层金属,并对沉积的介质层金属进行干法刻蚀,仅保留覆盖所述第一空腔101内的电极图案的介质层金属,形成介质层103;步骤五:采用深硅刻蚀工艺在步骤四处理后的盖板衬底100上刻蚀出至少两个沉孔104;步骤六:继续在步骤五处理后的盖板衬底100上沉积一层第二金属,作为粘附层,并对沉积的粘附层进行处理,去除掉位于所述第一电极102上且未被所述介质层覆盖的第二金属的一部分,使得粘附层分成互不连接的左右两部分,且保证一侧的粘附层与所述第一电极102连通;另一侧的粘附层位于所述介质层上的部分作为第二电极;所述第一电极102、介质层103和第二电极构成无源器件;此时完成无源器件的封装盖板的制备;步骤七:采用键合的方法将步骤六得到的带有无源器件的封装盖板与待键合的薄膜体滤波器键合;步骤八:采用机械研磨的方式去除键合成型的盖板衬底100的背面,露出沉积在所述沉孔中的粘附层;步骤九:采用电镀的方式将所述沉孔填满,并采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法刻蚀点两个沉孔之间的电镀材料,形成焊盘108。

权利要求:

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