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摘要：本发明提供一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法，其中所述架构包括：eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、控制器、行译码器和列译码器；所述计算方法采用上架构进行计算。本发明通过结合近存与存内计算结构，充分配合两者的特点对阵列结构与基本单元进行优化设计并互补两种架构单独的不足，同时采用了深沟槽电容替代平面电容，具有低功耗、低延时、高计算效率和高密度等优点，有效克服传统近存电路带宽限制和存内计算电路工艺限制，可应用于深度学习加速器计算核，特别适用于对集成度和功耗性能有较高要求的边缘端硬件部署。
主权项：1.一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构，其特征在于，所述架构包括：eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、控制器、行译码器和列译码器；其中，所述eDRAM近存与存算混合阵列按功能划分为eDRAM存储阵列和eDRAM存算阵列，所述灵敏放大器与所述eDRAM存储阵列连接，所述ADC电路与所述eDRAM存算阵列连接，所述存算结果寄存器与所述ADC电路连接及所述特征值更新驱动电路连接，所述行译码器和列译码器与所述eDRAM近存与存算混合阵列连接，所述特征值更新驱动电路与灵敏放大器连接，所述控制器分别与eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、行译码器和列译码器连接。
权利要求：
百度查询： 杭州万高科技股份有限公司 一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法
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