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摘要：一种半导体衬底的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；对所述第一衬底的相对的第一表面和第二表面进行氧化处理以形成第一氧化层和第二氧化层；对所述第一衬底的所述第一表面进行刻蚀处理以形成凹槽结构，并保留部分所述第一氧化层；将所述第二衬底和所述第一衬底对合以对所述凹槽结构进行密封并形成空腔结构；对所述第二衬底依次进行粗减薄处理和精细减薄处理以使所述第二衬底的厚度为5微米~20微米，该制备方法可以实现采用具有不同功能的设备分步进行粗减薄、化学机械抛光和傅里叶红外测量等步骤，从而突破了设备能力不足的障碍，且工艺灵活度也得到了大大的提升。
主权项：1.一种半导体衬底的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；对所述第一衬底的相对的第一表面和第二表面进行氧化处理以形成第一氧化层和第二氧化层；对所述第一衬底的所述第一表面进行刻蚀处理以形成凹槽结构，并保留部分所述第一氧化层；将所述第二衬底和所述第一衬底对合以对所述凹槽结构进行密封并形成空腔结构；对所述第二衬底依次进行粗减薄处理和精细减薄处理以使所述第二衬底的厚度为5微米~20微米。
权利要求：
百度查询： 润芯感知科技(南昌)有限公司 半导体衬底的制备方法
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