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摘要：本发明涉及一种超高产额中子管及其安装方法，用于解决现有中子管的中子产额较低的问题。本发明包括外壳、加热激发组件、加速组件和靶接收组件；加热激发组件安装在外壳的下端并向上延伸至外壳内部；加速组件位于外壳的内部，且加速组件的输入端与加热激发组件的输出端对应；靶接收组件安装在外壳的上端，且加速组件的输出端与靶接收组件相对应；靶接收组件包括靶子、靶基底、靶底磁钢和上端密封可伐；上端密封可伐的下端与外壳的上端连接；靶基底安装在上端密封可伐内，靶子设置在靶基底的前表面；靶底磁钢安装在靶基底的上端，使得在靶子的下端形成磁场，使得离子通过磁场轰击靶子的靶面。
主权项：1.一种超高产额中子管，包括外壳11、加热激发组件、加速组件和靶接收组件；所述加热激发组件安装在外壳11的下端并向上延伸至外壳11内部；所述加速组件位于外壳11的内部，且加速组件的输入端与加热激发组件的输出端对应；所述靶接收组件安装在外壳11的上端，且加速组件的输出端与靶接收组件相对应，使得位于加热激发组件中的激发的离子经过加速组件加速后到达靶接收组件；其特征在于：所述加热激发组件包括用于密封外壳11下端的密封单元、用于存储介质的储存器18以及用于电离和激发介质的离子单元；所述储存器18安装在密封单元内，且与离子单元连通，用于向离子单元内释放气体；所述离子单元包括圆筒状的离子源罩20；所述离子源罩20位于所述外壳11内部；所述储存器18的输出端与所述离子源罩20的输入端连通；所述离子源罩20内部由下而上设置有依次连接的离子源底盘19、后阴极21、阳极结构、前阴极22、磁钢环23以及栅网10；所述离子源罩20的上端面上设置有第二通孔，所述第二通孔分别与加速组件输入端设置的第四通孔和所述磁钢环23上设置的第三通孔对应，所述栅网10位于第二通孔和第三通孔之间。
权利要求：
百度查询： 西安冠能中子探测技术有限公司 一种超高产额中子管及其安装方法
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