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摘要：本实用新型提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，包括至少三个元胞结构，所述元胞结构包括：漂移层的下侧面连接至碳化硅的上侧面；漂移层上设有第一阱区以及第二阱区，第一阱区以及第二阱区上均设有P型源区以及N型源区；绝缘介质层的底部连接至第二阱区，绝缘介质层的一侧面分别连接漂移层以及第一阱区，绝缘介质层的另一侧面分别连接第二阱区以及P型源区；绝缘介质层上设有沟槽；源极金属层连接至N型源区以及P型源区；栅极金属层设于沟槽内；以及，漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，采用非对称沟槽栅结构，通过对第二阱区进行设计，以牺牲单侧阱区部分导通电阻的代价抑制了沟槽栅拐角处的电场集中，提高了栅可靠性。
主权项：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于，包括至少三个元胞结构，所述元胞结构包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层的下侧面连接至所述碳化硅的上侧面；所述漂移层上设有第一阱区以及第二阱区，所述第一阱区以及第二阱区上均设有P型源区以及N型源区；绝缘介质层，所述绝缘介质层的底部连接至所述第二阱区，所述绝缘介质层的一侧面分别连接漂移层以及第一阱区，所述绝缘介质层的另一侧面分别连接第二阱区以及P型源区；所述绝缘介质层上设有沟槽；源极金属层，所述源极金属层连接至所述N型源区以及P型源区；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
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百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS
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