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摘要：本申请适用于半导体制造技术领域，提供一种晶片制造生产线，该晶片制造生产线包括研磨装置、激光改质装置、剥离装置和自行动装置，研磨装置用于研磨晶锭；激光改质装置用于将激光束的焦点聚焦晶锭的预设深度，以在晶锭的预设深度形成改质层；剥离装置用于晶锭以改质层为断裂面进行剥离；自行动装置包括自行动车体和机械抓手，机械抓手设置于自行动车体；自行动车体用于自行移动至研磨装置、激光改质装置或剥离装置的上下料区域，以便机械抓手取放晶锭。本申请实施例为适应不同布局方案或根据实际生产需要对研磨装置、激光改质装置和剥离装置中的布局进行调整时，只需要对应改变自行动车体的行走路径即可，从而提高了晶片制造生产线的适应性。
主权项：1.一种晶片制造生产线，其特征在于，所述晶片制造生产线包括：研磨装置，所述研磨装置用于研磨晶锭；激光改质装置，所述激光改质装置用于将激光束的焦点聚焦在研磨后的所述晶锭的预设深度，以在所述晶锭的预设深度形成改质层；剥离装置，所述剥离装置用于将改质后的所述晶锭以所述改质层为断裂面进行剥离；自行动装置，所述自行动装置包括自行动车体和机械抓手，所述机械抓手设置于所述自行动车体；所述自行动车体用于自行移动至所述研磨装置、所述激光改质装置或所述剥离装置的上下料区域，以便所述机械抓手取放所述晶锭。
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