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框架式场效应管 

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摘要:本实用新型公开了一种框架式场效应管,它属于电子电路元器件领域,降低了对焊接精度的要求,因此对装片机的要求也比较低,提高产品生产的良率。它主要包括塑封体和芯片,芯片固定在塑封体内,其特征在于:所述塑封体上设有栅极框架、漏极框架和源极框架;所述的栅极框架、漏极框架和源极框架焊接于芯片上;所述漏极框架上设有焊接模块Ⅰ;源极框架上设有焊接模块Ⅱ;焊接模块Ⅰ与焊接模块Ⅱ交错设置。本实用新型采用框架为基底,先对芯片相同类型的端口进行分区,依照芯片分区设计框架基底,然后将芯片倒装焊接在分区框架上,其相对于点焊式的倒装焊接对精准度的要求较低,框架成本也较低。

主权项:1.一种框架式场效应管,包括塑封体1和芯片9,芯片9固定在塑封体1内,其特征在于:所述塑封体1上设有栅极框架5、漏极框架3和源极框架2;所述的栅极框架5、漏极框架3和源极框架2焊接于芯片9上;所述漏极框架3上设有焊接模块Ⅰ7;源极框架2上设有焊接模块Ⅱ8;焊接模块Ⅰ7与焊接模块Ⅱ8交错设置;漏极框架3和源极框架2上均设有若干引脚6。

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