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摘要：本实用新型公开了一种平面型拉伸应变锗系传感器，可用于半导体领域，该锗系传感器包括：依次堆叠的氧化层、介质层、第二掺杂锗层、第二本征锗层、本征锗锗硅多量子阱层、第一本征锗层以及离子掺杂掩膜层；离子掺杂掩膜层间断分布于第一本征锗层背离氧化层的一侧；第一本征锗层中被离子掺杂掩膜层覆盖的区域具有非离子掺杂区；非离子掺杂区具有凹槽，凹槽的底部为第二掺杂锗层；第一本征锗层中离子掺杂区背离氧化层的一侧具有第一电极；凹槽中填充有第二电极；第二电极与离子掺杂区之间具有非离子掺杂区。由此，凹槽侧壁不存在裸露的离子掺杂区，可以减小甚至彻底避免像元表面和侧壁存在的漏电流问题。
主权项：1.一种平面型拉伸应变锗系传感器，其特征在于，所述锗系传感器包括：依次堆叠的氧化层、介质层、第二掺杂锗层、第二本征锗层、本征锗锗硅多量子阱层、第一本征锗层以及离子掺杂掩膜层；所述离子掺杂掩膜层间断分布于所述第一本征锗层背离所述氧化层的一侧；所述第一本征锗层中未被所述离子掺杂掩膜层覆盖的区域为离子掺杂区；所述离子掺杂区的离子掺杂类型与所述第二掺杂锗层不同；所述第一本征锗层中被所述离子掺杂掩膜层覆盖的区域具有非离子掺杂区；所述非离子掺杂区具有凹槽，所述凹槽的底部为所述第二掺杂锗层；所述离子掺杂区背离所述氧化层的一侧具有第一电极；所述凹槽中填充有第二电极；所述第二电极与所述离子掺杂区之间具有所述非离子掺杂区。
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百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 一种平面型拉伸应变锗系传感器
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