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摘要：本实用新型提供了一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层的下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层内设有凹槽；阱区，所述阱区设于所述凹槽内，所述阱区内设有源区；栅介质层，所述栅介质层依次穿过所述源区以及阱区，且所述栅介质层下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述栅介质层上设有沟槽；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述漂移层、阱区以及源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，能有效降低器件的功耗，实现器件低功耗运行。
主权项：1.一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS，其特征在于，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层的下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层内设有凹槽；阱区，所述阱区设于所述凹槽内，所述阱区内设有源区；栅介质层，所述栅介质层依次穿过所述源区以及阱区，且所述栅介质层下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述栅介质层上设有沟槽；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述漂移层、阱区以及源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS
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