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摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种抗雪崩平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在第一P型基区与第一N型源区之间设置凹形的第一介质层，在第二P型基区与第二N型源区之间设置凹形的第二介质层，并且第一N型源区和第二N型源区为T型结构，第一N型源区的垂直部位于第一介质层的凹槽内，且第一N型源区的水平部与第一P型基区接触，第二N型源区的垂直部位于第二介质层的凹槽内，且第二N型源区的水平部与第二P型基区接触，从而抑制器件内寄生的BJT导通，抑制了N型源区和P型基区之间的导通，提升了平面SJMOS的抗雪崩能力和可靠性。
主权项：1.一种抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；第一P柱、N型漂移层、第二P柱，形成于所述N型衬底的正面；其中，所述N型漂移层位于所述第一P柱与所述第二P柱之间；第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区形成于所述第一P柱上，所述第二P型基区形成于所述第二P柱上；缓冲区，形成于所述N型漂移层上，且位于所述第一P型基区与所述第二P型基区之间；第一介质层、第二介质层，所述第一介质层位于所述第一P型基区的凹槽的底部和侧壁，所述第二介质层位于所述第二P型基区的凹槽的底部和侧壁；第一N型源区、第二N型源区，所述第一N型源区和所述第二N型源区为T型结构，所述第一N型源区的垂直部位于所述第一介质层的凹槽内，且所述第一N型源区的水平部与所述第一P型基区接触，所述第二N型源区的垂直部位于所述第二介质层的凹槽内，且所述第二N型源区的水平部与所述第二P型基区接触；栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述缓冲区、所述第一P型基区、所述第二P型基区上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型基区、所述第二P型基区以及所述栅极介质层的部分区域上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面；所述缓冲区为N型3C-SiC材料，并进行N型离子掺杂处理；所述第一N型源区和所述第二N型源区的垂直部的宽度在所述漏极层向所述源极层的方向上逐渐增加。
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