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摘要：本申请提供了一种存储器及其制备方法，先在基底上形成存储叠层阵列和第一介质层，存储叠层阵列包括间隔设置的存储叠层和位于存储叠层远离基底一侧的图案化掩膜层，第一介质层填充于相邻存储叠层之间以及存储叠层阵列的外围区域。然后去除图案化掩膜层，接着形成覆盖存储叠层的顶电极的第一导电层。最后去除外围区域的第一导电层和第一介质层，并在外围区域中填充第二介质层。因此第一导电层可以保护相邻存储叠层之间的第一介质层不被去除，不需要另外增加牺牲层来起保护作用，因此可以简化工艺降低成本，而且可以解决牺牲层为后续CMP工艺带来的研磨问题。
主权项：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成存储叠层阵列和第一介质层；所述存储叠层阵列包括间隔设置的存储叠层和位于所述存储叠层远离所述基底一侧的图案化掩膜层，所述第一介质层填充于相邻所述存储叠层之间以及所述存储叠层阵列的外围区域；去除所述图案化掩膜层；形成覆盖所述存储叠层的顶电极的第一导电层；去除所述外围区域的第一导电层和第一介质层，并在所述外围区域中填充第二介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器及其制备方法
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