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摘要：本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
主权项：1.一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供预先制备的LNOI片作为衬底，所述LNOI片从下至上依次包括基底层、埋氧层和波导层；步骤S2，在所述LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀所述波导层的SiO2硬掩模；步骤S3，在所述SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并利用电子束光刻技术在所述LNOI片上将双层电子束胶的形状刻蚀成与波导图案互补；步骤S4，在所述双层电子束胶的表面以及外露的SiO2层的表面沉积金属层，并除去双层电子束胶及其上的金属层，留下的所述金属层作为刻蚀所述SiO2层的金属硬掩模；步骤S5，使用SF6和O2的混合气体对所述SiO2层进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀，以将所述金属层上的波导图案转移至所述SiO2层，并去除剩余的金属硬掩模；步骤S6，使用氯基气体和氩气的混合气体对所述波导层进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀，氩气的流量范围为0~50sccm，氯基气体的流量范围为0~50sccm，并调节所述氯基气体和所述氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；步骤S7，去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法
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