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套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形 

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摘要:本公开实施例涉及半导体领域,提供一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形,其中,套刻精度量测图形的制作方法包括:提供晶圆;提供第一光刻胶层,第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形;以第一光刻胶层为掩膜图形化晶圆,以将初始条状图形转移到晶圆上,形成第一目标图形;提供第二光刻胶层,第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形,且第一标记图形沿第一方向延伸,第二标记图形沿第二方向延伸;在形成第一目标图形之后,以第二光刻胶层为掩膜图形化第一目标图形,形成第二目标图形,可以提高套刻精度量测图形的图形精度。

主权项:1.一种套刻精度量测图形的制作方法,其特征在于,包括:提供晶圆;提供第一光刻胶层,所述第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形;以所述第一光刻胶层为掩膜图形化所述晶圆,以将所述初始条状图形转移到所述晶圆上,形成第一目标图形;提供第二光刻胶层,所述第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形,且所述第一标记图形沿第一方向延伸,所述第二标记图形沿第二方向延伸;在形成所述第一目标图形之后,以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述第一目标图形,形成第二目标图形;所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为长方形,且所述初始条状图形的延伸方向与所述初始条状图形排布方向垂直;所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜,多个所述初始条状图形的排布方向相对于所述第二方向倾斜。

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