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摘要：本发明涉及一种用于IVD分析仪的传感器组件1,1’,1”，所述传感器组件1,1’,1”包括两个相对的基板10A,10B,20A,20B,30A,30B，所述基板具有用于接收样品的至少一个流体导管2,3,4。不同类型的电化学传感器的电极布置在这两个相对的基板10A,10B,20A,20B,30A,30B上，这些电极面向至少一个流体导管2,3,4，用于与样品接触并且测定样品参数，其中反电极11C,11D和参比电极11B,12B形成在一个基板10A,10B,20A,20B,30A,30B上，并且工作电极11A,12A,12A’形成在相对的基板10A,10B,20A,20B,30A,30B上。这实现了在均匀和对称的电场密度方面最佳的传感器工作条件，并且使得传感器组件能够具有更简单的几何结构和更小的尺寸。

主权项：1.一种用于IVD分析仪的传感器组件1,1’,1”，其包括-两个相对的基板10A,10B,20A,20B,30A,30B，其间形成有用于接收样品的至少一个流体导管2,3,4；-布置在所述两个相对的基板10A,10B,20A,20B,30A,30B上的多个电化学传感器，所述多个电化学传感器面向所述至少一个流体导管2,3,4，用于与所述样品接触并且测定样品参数，所述多个电化学传感器包括电流型传感器和电位型传感器；-其中电位型传感器包括电位型工作电极PWE12A,12A’和电位型参比电极PRE12B；-其中电流型传感器包括电流型工作电极AWE11A和电流型反参比电极ACRE11D或者AWE11A和电流型参比电极ARE11B和电流型反电极ACE11C；-其中所述PRE12B和或所述ACRE11D和或所述ARE11B和所述ACE11C形成在所述两个基板10A,10B,20A,20B,30A,30B中的同一个基板上，并且其中所述PWE12A,12A’和或所述AWE11A形成在所述两个基板10A,10B,20A,20B,30A,30B中的相对的一个基板上，-其中所述电位型传感器和或电流型传感器对通过系统流体发生的劣化具有不同敏感度，其中具有较高的劣化敏感度的所述电位型传感器和或所述电流型传感器沿第一流体导管2布置，并且具有较低的劣化敏感度的所述电位型传感器和或所述电流型传感器沿不同于所述第一流体导管2的流体导管3布置。

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