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摘要：本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：1准备钙钛矿前驱体；2将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；3通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
主权项：1.一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，其特征在于，包括以下步骤：1将正一价盐和正二价金属盐加入到溶剂中，得到钙钛矿前驱体；所述正一价盐和正二价金属盐均为卤素盐或者拟卤素盐；2将步骤1得到的钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；3通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜；步骤3中，调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，具体是：将前驱体湿膜置于密闭空间内加热，该前驱体湿膜仅与位于下方的基底相接触，与密闭空间的内腔侧壁及顶面不接触；该密闭空间仅在预先选定的位置存在一个单独的排气口，或者存在一组排气口阵列；并且，对于这一组排气口阵列，相邻2个排气口边缘之间的最短间距不超过20mm，如此这一组排气口阵列将能够对应一个整块的排气口区域；由于所述排气口的设置，前驱体湿膜加热在该密闭空间内产生的饱和蒸气，将率先由所述排气口排出，从而使该排气口所对应的湿膜区域率先达到过饱和，发生定位形核；同时，该密闭空间内将形成指向排气口的放射状的溶剂蒸气梯度，从而使湿膜面内也对应形成放射状的面内浓度梯度，实现卤化物钙钛矿在面内的放射状的定向连续生长。
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百度查询： 华中科技大学 一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法
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