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摘要:本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有:离子源1;试样台2,其载置通过照射来自离子源1的非聚焦离子束而被加工的试样4;以及驱动单元8,其配置在离子源1与试样台2之间,且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件7在与第一方向正交的第二方向上移动,在从离子源1以第一照射条件输出离子束的状态下,通过驱动单元8使离子束测定部件7在离子束的照射范围内移动,通过向离子束测定部件7照射离子束来测定流过离子束测定部件7的离子束电流。
主权项:1.一种离子研磨装置,其特征在于,所述离子研磨装置具有:离子源;试样台,其载置通过照射来自所述离子源的非聚焦离子束而被加工的试样;驱动单元,其配置在所述离子源与所述试样台之间,且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件在与所述第一方向正交的第二方向上移动;以及控制部,所述控制部在从所述离子源以第一照射条件输出有所述离子束的状态下,通过所述驱动单元使所述离子束测定部件在所述离子束的照射范围内移动,通过向所述离子束测定部件照射所述离子束来测定流过所述离子束测定部件的离子束电流,并存储表示所述离子束电流与测定到该离子束电流时的所述离子束测定部件的位置之间的关系的离子束电流分布,所述控制部基于所述离子束电流分布来求出所述第一照射条件的调整值,所述控制部对所述离子束电流分布和预先设定好的基准离子束电流分布进行比较,并求出所述第一照射条件的调整值,所述控制部求出所述第一照射条件的调整值,以使得所述离子束电流分布的峰值及半值宽度与所述基准离子束电流分布的峰值及半值宽度相等或近似。
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