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摘要：本发明实施例公开了一种存储单元及其数据读写方法、存储阵列，该存储单元包括位线、隧道结和四个存取晶体管；各存取晶体管至少包括有源区；该有源区包括源极，各存取晶体管的源极均与隧道结的第一端电连接；隧道结的第二端与位线电连接，且位线沿第一方向延伸；各存取晶体管的有源区相互隔离；各存取晶体管的有源区的长边延伸方向相同，且存取晶体管的有源区的长边延伸方向与第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。本发明实施例的存储单元具有较小的尺寸，从而将该存储单元应用于存储阵列中时，能够提供存储阵列较大的集成度。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：位线、隧道结和四个存取晶体管；各所述存取晶体管的源极均与所述隧道结的第一端电连接；所述隧道结的第二端与所述位线电连接；所述位线沿第一方向延伸；各所述存取晶体管对应的有源区相互隔离；各所述存取晶体管对应的有源区的长边延伸方向相同，且所述有源区的长边延伸方向与所述第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角；其中，四个所述存取晶体管包括第一存取晶体管、第二存取晶体管、第三存取晶体管和第四存取晶体管；所述第一存取晶体管的有源区的长边与所述第二存取晶体管的有源区的长边相对设置，且所述第三存取晶体管的有源区和所述第四存取晶体管的有源区位于所述第一存取晶体管的有源区与所述第二存取晶体管的有源区之间；所述第三存取晶体管的有源区的短边与所述第四存取晶体管的有源区的短边相对设置。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储单元及其数据读写方法、存储阵列
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