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具有结合焊盘的半导体器件 

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摘要:一种半导体器件,包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片具有第一结合层;以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上,并且具有第二结合层。所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连。所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘。所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面。所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到多条不同的第一内部线。

主权项:1.一种半导体器件,包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一衬底、在所述第一衬底上并且包括多条第一内部线的第一电路层以及在所述第一电路层上的第一结合层;以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上,并且包括第二衬底、在所述第二衬底下方的第二电路层以及在所述第二电路层下方的第二结合层,其中,所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及电连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连,所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘,所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面,所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到所述多条第一内部线,并且所述第一互连在所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在沿着所述第一结合层的上表面的横向方向上未对准而彼此结合时提供接触区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 具有结合焊盘的半导体器件

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