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摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法；形成方法包括：提供基体；在基体正面形成第一图形结构；在第一图形结构的侧壁和远离基体的表面以及基体的正面形成第一介电层；在第一介电层表面形成第一低k介质层，且第一低k介质层远离基体的表面低于第一图形结构远离基体的表面；在第一介电层和第一低k材料表面形成的第二介电层；平坦化第二介电层和部分第一介电层，直至暴露出第一图形化结构且第一低k介质层表面覆盖有第二介电层。上述半导体结构的形成方法通过调整工艺步骤，避免对第一低k介质层侧壁的损伤，保证了第一低k介质层侧壁的形貌，避免了互连结构侧壁形貌不均而产生的漏电现象，提升了器件的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基体；在所述基体正面形成第一图形结构；在所述第一图形结构的侧壁和远离所述基体的表面以及所述基体的正面形成第一介电层；在所述第一介电层表面形成第一低k介质层，回刻所述第一低k介质层，暴露部分所述第一介电层的表面，且所述第一低k介质层远离所述基体的表面低于所述第一图形结构远离所述基体的表面；在暴露的所述第一介电层和所述第一低k介质层表面形成的第二介电层；平坦化所述第二介电层和部分所述第一介电层，直至暴露出所述第一图形结构且所述第一低k介质层表面覆盖有第二介电层，其中，所述第一低k介质层被所述第二介电层和所述第一介电层围合的空间包覆。
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