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摘要：本发明涉及一种接触结构、半导体器件结构及其制备方法，接触结构包括：导电插塞；钝化保护层，覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层，防止导电插塞暴露于空气中，避免导电插塞的表面被氧化，在酸洗工艺中钝化保护层可以保护导电插塞不被去除，确保导电插塞的形貌完整，保证了器件的导电性能。
主权项：1.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成导电插塞；于所述导电插塞的侧壁形成钝化保护层；于所述衬底上形成所述导电插塞之前还包括如下步骤：于所述衬底内形成接触孔；所述导电插塞由第一导电层和第二导电层组成，形成所述导电插塞包括如下步骤：于接触孔的侧壁及底部形成第一导电层；于所述第一导电层的表面形成第二导电层；所述第二导电层及所述第一导电层内均掺杂，且所述第二导电层的掺杂浓度小于第一导电层的掺杂浓度；去除所述第二导电层侧壁的所述第一导电层得到所述导电插塞；于所述导电插塞侧壁形成所述钝化保护层包括如下步骤：对所述导电插塞进行氮化处理，以于所述导电插塞的侧壁形成所述钝化保护层。
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