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PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 

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摘要:一种PIN二极管及其形成方法、静电保护结构,其中所述PIN二极管,包括位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构,每一层堆叠结构均包括:第一半导体层,所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子;位于所述第一半导体层上的第一本征层;位于所述第一本征层上的第二半导体层,所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子,第一类型与第二类型不同;位于第二半导体层上的第二本征层。使得相同的基底面积上使得形成的PIN二极管具有更大的结面积,使得结散热与导流能力有效增强,同时降低寄生电容。

主权项:1.一种PIN二极管的形成方法,其特征在于,应用于静电保护电路,包括:提供基底;在所述基底上形成第一半导体层,所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子;在所述第一半导体层上形成第一本征层;在所述第一本征层上形成第二半导体层,所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子,所述第一类型的掺杂离子与所述第二类型的掺杂离子的类型不同;在所述第二半导体层上形成第二本征层;在所述第二本征层表面上重复进行依次形成所述第一半导体层、所述第一本征层、所述第二半导体层和所述第二本征层的步骤;所述第一本征层和所述第二本征层中晶粒的尺寸小于0.4um。

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