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摘要：本发明涉及一种大角度出光光源、面光源模组及出光光源的制备方法，大角度出光光源包括LED芯片，LED芯片为倒装结构，LED芯片包括自下而上依次设置的P‑GaN层、发光层、N‑GaN层和衬底，且在LED芯片的底面设置下反射层，在LED芯片的顶面及侧面设置有蓝光复激发层，蓝光复激发层的顶面设置上反射层，蓝光复激发层的四个侧面为全出光区，上反射层顶面为全反射或部分反射区。本发明的优点在于：本发明中，将反射层直接设置在倒装LED芯片的顶部和底部，LED芯片发出的光被上反射层和下反射层反射，使得光线从LED芯片的四个侧面射出，实现大角度发光；此外，由于本发明的大角度出光光源为单独的单体，而非整体在基板上制作反射层，因此，可以贴用于不同的基板。

主权项：1.一种采用大角度出光光源的面光源模组，其特征在于：所述面光源模组包括基板、高折射率透明波导层和大角度出光光源，所述基板上设置有若干大角度出光光源，所述大角度出光光源包括LED芯片，所述LED芯片为倒装结构，LED芯片包括自下而上依次设置的P-GaN层、发光层、N-GaN层和衬底，且在LED芯片的底面设置下反射层，在LED芯片的顶面及侧面设置有蓝光复激发层，蓝光复激发层的顶面设置上反射层，所述蓝光复激发层的四个侧面为全出光区，上反射层顶面为全反射或部分反射区；所述LED芯片的顶面设置中反射层，且所述中反射层为部分出光部分反射结构；所述蓝光复激发层的顶面和侧面设置有一层第一介质透明层，所述上反射层位于第一介质透明层的上表面；第一介质透明层侧面的厚度记为a，第一介质透明层的高度记为h，第一介质透明层的折射率记为n1，高折射率透明波导层的折射率记为n2，外媒质层的折射率记为n3，为了实现光的全反射，需满足；在基板上设置覆盖住所有大角度出光光源的高折射率透明波导层，所述高折射率透明波导层的高度等于或高于大角度出光光源的顶面高度；所述高折射率透明波导层同时满足以下条件：（1）所述高折射率透明波导层为单一介质且均匀分布的介质层；（2）限定高折射率透明波导层中远离基板的一个表面为上波导分界面，位于上波导分界面两侧中远离基板的一侧媒质为外媒质层，高折射率透明波导层的折射率记作n2，外媒质层的折射率记作n3，n2＞n3；（3）限定高折射率透明波导层中靠近基板的另一个表面为下波导分界面，在下波导分界面与基板之间设置有波导反射层。

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