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摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层，第一电极层为单层或多层结构；在第一电极层上形成介电层；在介电层上形成第二电极层，第二电极层为单层或多层结构；第一电极层中与介电层相接触的为第一电极接触层，第二电极层中与介电层相接触的为第二电极接触层，第一电极接触层和第二电极接触层中至少一层采用原子层沉积工艺形成。原子层沉积工艺形成的层结构表面粗糙度较低，同一区域中，第一电极层接触层和第二电极层接触层中不易存在同时凸向介电层的凸出点，第一电极层接触层和第二电极层接触层之间的最短距离变大，进而介电层不易发生击穿，提高了半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括抗刻蚀层；在所述基底上形成第一电极层，所述第一电极层为多层结构；所述形成方法还包括：在所述抗刻蚀层与第一电极层之间形成缓冲层；在所述第一电极层上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极层，所述第二电极层为多层结构；所述第一电极层中与所述介电层相接触的为第一电极接触层，所述第一电极接触层的材料包括：TiN和TaN中的一种或两种，所述第二电极层中与所述介电层相接触的为第二电极接触层，所述第一电极接触层和第二电极接触层中至少一层采用原子层沉积工艺形成；形成所述第一电极层的步骤还包括：在形成所述第一电极接触层前，在所述基底上形成第三电极膜，所述第一电极接触层和第三电极膜的材料相同；形成所述第二电极层的步骤还包括：在形成所述第二电极接触层后，在所述第二电极接触层上形成第四电极膜，所述第二电极接触层和第四电极膜的材料相同。
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