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摘要:本发明实施例提供一种灵敏放大器和半导体存储器,其中,灵敏放大器包括:锁存器,具有第一输入输出端和第二输入输出端;第一驱动晶体管,第一驱动晶体管的栅极用于连接半导体存储器的放大使能信号线,第一驱动晶体管的通道第一端连接第二输入输出端,以及第一驱动晶体管的通道第二端用于连接半导体存储器的位线;第二驱动晶体管,第二驱动晶体管的栅极用于连接放大使能信号线,第二驱动晶体管的通道第一端连接第一输入输出端,以及第二驱动晶体管的通道第二端用于连接半导体存储器的参考位线;其中,第一驱动晶体管的驱动能力小于第二驱动晶体管的驱动能力。本发明实施例的灵敏放大器,可以节省电路面积,降低功耗,提高放大速度。
主权项:1.一种灵敏放大器,应用于半导体存储器,其特征在于,包括:锁存器,具有第一输入输出端和第二输入输出端;第一驱动晶体管,所述第一驱动晶体管的栅极用于连接所述半导体存储器的放大使能信号线,所述第一驱动晶体管的通道第一端连接所述第二输入输出端,以及所述第一驱动晶体管的通道第二端用于连接所述半导体存储器的位线;第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管的栅极用于连接所述放大使能信号线,所述第二驱动晶体管的通道第一端连接所述第一输入输出端,以及所述第二驱动晶体管的通道第二端用于连接所述半导体存储器的参考位线;第五驱动晶体管,所述第五驱动晶体管的栅极用于连接所述放大使能信号线,所述第五驱动晶体管的通道的一端接地,另一端连接所述锁存器;其中,所述第一驱动晶体管的驱动能力小于所述第二驱动晶体管的驱动能力,当所述放大使能信号线开启后,所述锁存器、所述第一驱动晶体管和所述第五驱动晶体管同时导通构成第一驱动路径,所述锁存器、所述第二驱动晶体管和所述第五驱动晶体管同时导通构成第二驱动路径,所述第一驱动路径的驱动能力小于所述第二驱动路径的驱动能力;其中,所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管和所述第五驱动晶体管均为NMOS晶体管。
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