龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明给出一种基于离子注入技术制备钝化接触区的方法，首先将化学气相沉积的多晶硅进行充分晶化，接着通过离子注入硼或磷对多晶硅进行掺杂，然后采用快速热处理激活注入的硼或磷的掺杂原子，并控制掺杂的硼或磷更少地进入硅衬底中。这种方法通过结合硼或磷离子注入和快速热处理技术，能够获得接近理想设计的钝化接触区的硼或磷的掺杂分布曲线，因此能获得高质量的空穴钝化接触区和电子钝化接触区。基于此，本发明还公开一种采用上述方法制备钝化接触电池的方法以及相应得到的钝化接触电池。
主权项：1.一种基于离子注入制备钝化接触区的方法，其特征在于，包括：提供一种硅衬底；在所述硅衬底表面制备隧穿氧化硅；在所述隧穿氧化硅上制备本征多晶硅或本征非晶硅，然后将本征多晶硅或本征非晶硅所处环境温度升高至800-900℃，使所述本征多晶硅充分晶化，或者所述本征非晶硅先晶化成本征多晶硅后再充分晶化；采用离子注入硼或磷对充分晶化后的本征多晶硅进行掺杂；采用快速热处理完成硼或磷掺杂的激活以及在本征多晶硅内的再分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏屹景光电科技有限公司 基于离子注入制备钝化接触区的方法、钝化接触电池及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号